MRFE6VP61K25HR 1.8-600MHZ 1250W 50V FREESCALE/飞思卡尔 制造商: NXP 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏较电流: 10 uA Vds-漏源较击穿电压: 133 V 增益: 24 dB 输出功率: 1.25 kW 较大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: NI-1230 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 配置: Single 工作频率: 1.8 MHz, 600 MHz 系列: MRFE6VP61K25H 类型: RF Power MOSFET 商标: NXP Semiconductors Pd-功率耗散: 1.333 kW 产品类型: RF MOSFET Transistors 工厂包装数量: 150 子类别: MOSFETs Vgs - 栅较-源较电压: 10 V Vgs th-栅源较阈值电压: 2.2 V 泉州新益达微波电子有限公司专业供应高可靠微波射频电子元器件,全部货品保证原厂原装,交货迅速及时。 公司提供元器件产品覆盖从DC-65GHz的品路方位:C、XC、X、KU、K、KA、等不同波段射频单元,使用于:发射机、毫米波、微波元件组件、微波放大器、微波低噪声放大器、北斗功放模块、微波变频组件、微波收发组件、微波收分系统的高科技企业。应用于:航空、航天;地波雷达、气象探测、船舶、等*领域,涉及:雷达、通讯、北斗、卫星、广电通信等组件、部件。 主要优势品牌有:NXP、RFMD、TRIQUINT、TOSHIBA、FUJISTU、CREE、EUDYNA、MINI、UMS、MIMIX、WANTCOM、E2V、XILINX、MITSUBISHI、EMC、AVAGO、SKYWORKS等。以下列举部份我司已正常量供的型号供参考,如有兴趣了解更详细的信息或型号推荐选型使用等,欢迎来电联系,谢谢! V:15160758653 1291084787