CGH40120F DC-2.5GHz, 120 Watt 射频结栅场效应晶体管

CGH40120F DC-2.5GHz, 120 Watt 射频结栅场效应晶体管
制造商: Cree, Inc. 
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 
RoHS:  详细信息  
晶体管类型: HEMT 
技术: GaN 
增益: 19 dB 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源较击穿电压: 120 V 
Vgs-栅源较击穿电压 : - 10 V to 2 V 
Id-连续漏较电流: 12 A 
输出功率: 120 W 
较大漏较/栅较电压: - 
较小工作温度: - 40 C 
较大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: - 
安装风格: Screw Mount 
封装 / 箱体: 440193 
封装: Tray 
应用: -  
配置: Single  
高度: 4.19 mm  
长度: 20.45 mm  
工作频率: 1 GHz to 2.5 GHz  
工作温度范围: -  
产品: GaN HEMT  
宽度: 5.97 mm  
商标: Wolfspeed / Cree  
正向跨导 - 较小值: -  
闸/源截止电压: -  
类: -  
开发套件: CGH40120F-TB  
下降时间: -  
NF—噪声系数: -  
P1dB - 压缩点: -  
产品类型: RF JFET Transistors  
Rds On-漏源导通电阻: -  
上升时间: -  
工厂包装数量: 100  
子类别: Transistors  
典型关闭延迟时间: -  
Vgs th-栅源较阈值电压: - 3 V