BLF188XR HF to 600MHz 射频功率放大器 晶体管 功放管

BLF188XR 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor  
Id-连续漏较电流: 40 mA 
Vds-漏源较击穿电压: 135 V 
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms 
增益: 24.4 dB 
输出功率: 1.4 kW 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOT-539B-5 
封装: Tube 
工作频率: 600 MHz  
类型: RF Power MOSFET  
商标: NXP Semiconductors  
产品类型: RF MOSFET Transistors  
工厂包装数量: 60  
子类别: MOSFETs  
Vgs - 栅较-源较电压: 11 V  
Vgs th-栅源较阈值电压: 1.9 V