BLF188XR HF to 600MHz 射频功率放大器 晶体管 功放管详细内容
BLF188XR 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
Id-连续漏较电流: 40 mA
Vds-漏源较击穿电压: 135 V
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
增益: 24.4 dB
输出功率: 1.4 kW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-539B-5
封装: Tube
工作频率: 600 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 60
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅较-源较电压: 11 V
Vgs th-栅源较阈值电压: 1.9 V
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主要经营泉州新益达微波电子主要经营卫星器件,放大器,TR组件,电子元器件,低噪声, 可提供任何品牌的配套产品,主要分销品牌有:CREE、TOSHIBA、TRIQUINT、EUDYNA、SKYWORKS、NXP、FREESCALE、MIMIX、Hittite、MACOM、Nitronex、PULSAR、UMS、SYNERGY、WANTCOM、XILINX、Mitsubishi、AVAGO等。
单位注册资金单位注册资金人民币 500 - 1000 万元。
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